FQB22P10 |
RFQ for FQB22P10 |
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| Technical/Catalog Information | FQB22P10TM |
| Vendor | Fairchild Semiconductor (VA) |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 22A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 11A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Power - Max | 3.75W |
| Packaging | Digi-Reel? |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Package / Case | D²Pak, SMD-220, TO-263 (2 leads + tab) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | FQB22P10TM FQB22P10TM FQB22P10TMDKR ND FQB22P10TMDKRND FQB22P10TMDKR |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| FQB22P10 | - | TO-263(D2PAK) | `06+(pb-free) |
These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.
Features |
| • -22A, -100V, RDS(on) = 0.125Ω @VGS = -10 V• Low gate charge ( typical 40 nC)• Low Crss ( typical 160 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability• 175°C maximum junction temperature rating |
| Symbol | Parameter |
FQB22P10 / FQI22P10 |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDSS | Drain-Source Voltage |
-100 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID | Drain Current - Continuous (TC = 25°C) - Continuous (TC = 100°C) |
-22 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
-15.6 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM | Drain Current - Pulsed (Note 1) |
-88 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGSS | Gate-Source Voltage |
± 30 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS | Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) |
710 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAR | Avalanche Current (Note 1) |
-22 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy (Note 1) |
12.5 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) |
-6.0 |
V/ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD | Power Dissipation (TA = 25°C) * |
3.75 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation (TC = 25°C) - Derate above 25°C |
125 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
0.83 |
W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ, TSTG | Operating and Storage Te
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